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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.45 | 雪崩能效等级（Eas）： | 5.7 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.63 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF340EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF340R | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,10A I(D),TO-204AA |
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| IRF341 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
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| IRF341 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF341 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 350V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF3415 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) |
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| IRF3415 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| IRF3415HR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF3415L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) |
|
| IRF3415LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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