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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.79 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF3315 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) |
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| IRF3315L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
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| IRF3315L | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
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| IRF3315LPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3315PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3315S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
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| IRF3315SL | ETC |
获取价格 |
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| IRF3315SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3315STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF3315STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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