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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF3315 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) |
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| IRF3315L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
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| IRF3315L | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
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| IRF3315LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3315PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3315S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
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| IRF3315SL | ETC |
获取价格 |
|
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| IRF3315SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3315STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF3315STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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