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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF330EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF330EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF330ECPBF | INFINEON |
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5.5A, 400V, 1.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF330ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF330R | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 55V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF331 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| IRF331 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF331 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF331 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 350V 5.5A 3-Pin (2+Tab) TO-3 |
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| IRF3315 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) |
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