IRF3305

更新时间： 2024-11-29 21:53:55

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AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF3305 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	470 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3305 数据手册

PD - 95879

AUTOMOTIVE MOSFET

IRF3305

Features

HEXFET^®Power MOSFET

Designed to support Linear Gate Drive

Applications

175°C Operating Temperature

V_DSS= 55V

Low Thermal Resistance Junction - Case

Rugged Process Technology and Design

Fully Avalanche Rated

R_DS(on)= 8.0mΩ

Description

I_D= 75A

Specificallydesignedforuseinlinear automotive

applicationsthisHEXFETPowerMOSFETutilizes

a rugged planar process technology and device

design,whichgreatlyimprovestheSafeOperating

Area(SOA)ofthedevice.Thesefeatures,coupled

with 175°C junction operating temperature and

low thermal resistance of 0.45C/W make the

IRF3305 an ideal device for linear automotive

applications.

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

140

@ T = 100°C

@ T = 25°C

560

330

@T = 25°C Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

2.2

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

470

860

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and

E_AR

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.45

–––

Units

Junction-to-Case

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.50

–––

°C/W

www.irf.com

7/2/04

12 3 4 5 6 7...9

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IRF3305 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRF3305	INFINEON	类似代替	Advanced Planar Technology
IRF3305PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRF3305相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF3305PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF330EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330ECPBF	INFINEON	获取价格	5.5A, 400V, 1.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF330ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 55V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF331	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
IRF331	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF331	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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