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IRF330

更新时间： 2024-11-30 22:31:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

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IRF330 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.08Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1.7 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：1.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF330 数据手册

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PD - 90335F  
IRF330  
JANTX2N6760  
JANTXV2N6760  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
400V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF330  
400V  
1.00Ω  
5.5A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
5.5  
3.5  
D
GS  
C
A
I
D
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
22  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.60  
±20  
1.7  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
AS  
I
5.5  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
AR  
dv/dt  
4.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/22/01  
1234567

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IRF330 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6760 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

与IRF330相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF330-333 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
IRF3305 INFINEON

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 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3305PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF330EA INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330EBPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330EC INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF330ECPBF INFINEON

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 		5.5A, 400V, 1.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF330ED INFINEON

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IRF330R NJSEMI

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 		N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V

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