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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF330-333 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| IRF3305 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF3305PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF330EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF330EBPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF330EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF330ECPBF | INFINEON |
获取价格 |
5.5A, 400V, 1.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF330ED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF330R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 55V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF331 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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