5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF130-133 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
|
| IRF1302 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=18 |
|
| IRF1302L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=17 |
|
| IRF1302LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 174A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1302LTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF1302LTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF1302LTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF1302LTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF1302PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on) = 4. |
|
| IRF1302S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=17 |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
