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IRF100P218

更新时间： 2024-11-21 11:13:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1135K
描述
100V 单个 N 通道 StrongIRFET™ Power MOSFET, 采用 TO-247 封装

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IRF100P218 数据手册

IRF100P218

MOSFET

PG-TOꢀ247-3

StrongIRFETª

Features

•ꢀVeryꢀlowꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀ(FOM)

•ꢀOptimizedꢀQ_rr

•ꢀ175°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀProductꢀvalidationꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀstandard

•ꢀOptimizedꢀforꢀbroadestꢀavailabilityꢀfromꢀdistributionꢀpartners

Benefits

•ꢀReducedꢀconductionꢀlosses

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀswitchingꢀfrequency

•ꢀLowerꢀovershootꢀvoltage

Drain

Pin 2

•ꢀIncreasedꢀreliabilityꢀversusꢀ150°Cꢀratedꢀparts

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

1.1

Unit

V_DS

R_DS(on),typ

mΩ

R_DS(on),max

I_{D(SiliconꢀLimited)}

I_{D(PackageꢀLimited)}

Q_G(0V..10V)

1.28

483

209

330

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IRF100P218

PG-TO 247-3

IRF100P218

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-01-20

12 3 4 5 6 7...11

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