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IR2110L6

更新时间： 2024-01-13 01:27:09
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
14页 357K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2110L6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：MO-036AB, 14 PIN
针数：14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.17Is Samacsys：N
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T14JESD-609代码：e0
长度：18.54 mm功能数量：1
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.44 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：15 V
电源电压1-最大：20 V电源电压1-分钟：10 V
电源电压1-Nom：15 V表面贴装：NO
技术：BICMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.26 µs
接通时间：0.22 µs宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

IR2110L6 数据手册

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Index  
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Data Sheet No. PD-6.074  
IR2110L6  
HIGH AND LOW SIDE DRIVER  
Features  
Product Summary  
n Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +600V  
V
600V max.  
2A / 2A  
OFFSET  
I +/-  
O
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
n Gate drive supply range from 10 to 20V  
n Undervoltage lockout for both channels  
n Separate logic supply range from 5 to 20V  
Logic and power ground ±5V offset  
n CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down  
n Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic  
n Matched propagation delay for both channels  
n Outputs in phase with inputs  
V
10 - 20V  
120 & 94 ns  
10 ns  
OUT  
(typ.)  
t
on/off  
Delay Matching  
Description  
The IR2110L6 is a high voltage, high speed power  
MOSFET and IGBT driver with independent high and  
low side referenced output channels. Proprietary HVIC  
and latch immune CMOS technologies enable rugge-  
dized monolithic construction. Logic inputs are com-  
patible with standard CMOS or LSTTL outputs.The  
output drivers feature a high pulse current buffer stage  
designed for minimum driver cross-conduction. Propa-  
gation delays are matched to simplify use in high fre-  
quency applications.The floating channel can be used  
to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the  
high side configuration which operates up to 600 volts.  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are absolute volt-  
ages referenced to COM. The Thermal Resistance and Power Dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Parameter  
High Side Floating SupplyVoltage  
High Side Floating Supply Offset Voltage  
High Side Floating Output Voltage  
Low Side Fixed Supply Voltage  
Low Side Output Voltage  
Min.  
-0.5  
—
Max.  
Units  
V
V
V + 20  
S
B
S
600  
V
V
- 0.5  
V
B
+ 0.5  
20  
HO  
S
V
-0.5  
CC  
V
LO  
-0.5  
-0.5  
V
+ 0.5  
V
CC  
V
Logic SupplyVoltage  
V
+ 20  
+ 0.5  
+ 0.5  
DD  
SS  
CC  
DD  
V
Logic Supply OffsetVoltage  
V
- 20  
V
V
SS  
CC  
SS  
V
Logic InputVoltage (HIN, LIN & SD)  
Allowable Offset SupplyVoltageTransient (Figure 2)  
V
- 0.5  
IN  
dV /dt  
s
—
50  
V/ns  
W
P
Package Power Dissipation @T ≤ +25°C  
—
—
1.6  
75  
D
A
R
θJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
JunctionTemperature  
°C/W  
T
-55  
-55  
—
125  
150  
300  
J
S
L
T
T
StorageTemperature  
°C  
g
LeadTemperature (Soldering, 10 seconds)  
Weight  
1.5 (typical)  
To Order  
 
 
1234567...14

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