是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 3.18 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT |
高边驱动器: | YES | 接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称输出峰值电流: | 0.35 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最大供电电压: | 20 V | 最小供电电压: | 10 V |
标称供电电压: | 15 V | 电源电压1-最大: | 620 V |
电源电压1-分钟: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 断开时间: | 0.28 µs |
接通时间: | 0.95 µs | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IR2109STRPBF | INFINEON | IR2109(4) (S) & (PBF) HALF-BRIDGE DRIVER |
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IR210DG06HCB | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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IR210DG06HCB | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1 |
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IR210DG06HCBPBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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IR210DG12HCB | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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IR210DG12HCB | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1 |
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