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IR21074

更新时间： 2024-02-07 02:01:10

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英飞凌 - INFINEON		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR21074 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP14,.25
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.92	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G14
JESD-609代码：	e0	长度：	8.65 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	标称输出峰值电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP14,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	子类别：	MOSFET Drivers
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	15 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	0.25 µs
接通时间：	0.27 µs	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

IR21074 数据手册

Preliminary Data Sheet No. PD60162J

IR2106/IR21064

IR2107/IR21074

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600V

Product Summary

•

Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

Gate drive supply range from 10 to 20V

Undervoltage lockout for both channels

5V Schmitt triggered input logic

600V max.

120 mA / 250 mA

10 - 20V

OFFSET

•

I +/-

OUT

Matched propagation delay for both channels

Logic and power ground +/- 5V offset.

Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Outputs in phase with inputs (IR2106/IR21064)

Outputs out of phase with inputs (IR2107/IR21074)

(typ.)

180 ns

on/off

Delay matching

50 ns

Description

Packages

The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high volt-

age, high speed power MOSFET and IGBT drivers

with independent high and low side referenced out-

put channels. Proprietary HVIC and latch immune

CMOS technologies enable ruggedized monolithic

construction.The logic input is compatible with stan-

dard CMOS or LSTTL output. The output drivers

feature a high pulse current buffer stage designed

for minimum driver cross-conduction. The floating

channel can be used to drive an N-channel power

MOSFET or IGBT in the high side configuration

which operates up to 600 volts.

14 Lead SOIC

8 Lead SOIC

8 Lead PDIP

14 Lead PDIP

Typical Connection

up to 600V

V_CC

V_B

HIN

HIN/HIN HO

LIN

LOAD

LIN/LIN

COM

V_S

up to 600V

IR21064/IR21074

V_B

V_S

IR2106/IR2107

V_CC

HIN

LIN

V_CC

HIN/HIN

LIN/LIN

LOAD

LIN

V_SS

COM

V_SS

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