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IR2107

更新时间： 2024-01-05 22:06:57

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英飞凌 - INFINEON		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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技术参数
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IR2107 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	PLASTIC, DIP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.88 mm	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	标称输出峰值电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	子类别：	MOSFET Drivers
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	0.25 µs
接通时间：	0.27 µs	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IR2107 数据手册

Preliminary Data Sheet No. PD60162J

IR2106/IR21064

IR2107/IR21074

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600V

Product Summary

•

Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

Gate drive supply range from 10 to 20V

Undervoltage lockout for both channels

5V Schmitt triggered input logic

600V max.

120 mA / 250 mA

10 - 20V

OFFSET

•

I +/-

OUT

Matched propagation delay for both channels

Logic and power ground +/- 5V offset.

Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Outputs in phase with inputs (IR2106/IR21064)

Outputs out of phase with inputs (IR2107/IR21074)

(typ.)

180 ns

on/off

Delay matching

50 ns

Description

Packages

The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high volt-

age, high speed power MOSFET and IGBT drivers

with independent high and low side referenced out-

put channels. Proprietary HVIC and latch immune

CMOS technologies enable ruggedized monolithic

construction.The logic input is compatible with stan-

dard CMOS or LSTTL output. The output drivers

feature a high pulse current buffer stage designed

for minimum driver cross-conduction. The floating

channel can be used to drive an N-channel power

MOSFET or IGBT in the high side configuration

which operates up to 600 volts.

14 Lead SOIC

8 Lead SOIC

8 Lead PDIP

14 Lead PDIP

Typical Connection

up to 600V

V_CC

V_B

HIN

HIN/HIN HO

LIN

LOAD

LIN/LIN

COM

V_S

up to 600V

IR21064/IR21074

V_B

V_S

IR2106/IR2107

V_CC

HIN

LIN

V_CC

HIN/HIN

LIN/LIN

LOAD

LIN

V_SS

COM

V_SS

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