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IR2011S

更新时间： 2024-01-08 22:34:10

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英飞凌 - INFINEON		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管 PC
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17页	143K
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HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2011S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.76
Is Samacsys：	N	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	标称输出峰值电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	子类别：	MOSFET Drivers
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	15 V	电源电压1-最大：	220 V
电源电压1-分钟：	6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

IR2011S 数据手册

Data Sheet No.PD60217 Rev A

S) & (PbF

IR2011(

)

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Product Summary

• Floating channel designed for bootstrap operation

200V max.

Fully operational up to +200V

OFFSET

Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10V to 20V

• Independent low and high side channels

• Input logicHIN/LIN active high

I +/-

1.0A /1.0A typ.

10 - 20V

• Undervoltage lockout for both channels

• 3.3V and 5V input logic compatible

OUT

• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

• Matched propagation delay for both channels

• 8-Lead SOIC is also available LEAD-FREE (PbF)

80 & 60 ns typ.

20 ns max.

on/off

Delay Matching

Applications

• Audio Class D amplifiers

Packages

• High power DC-DC SMPS converters

• Other high frequency applications

Description

The IR2011 is a high power, high speed power MOSFET driver with independent high

and low side referenced output channels, ideal for Audio Class D and DC-DC converter

applications. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down

to 3.0V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for

minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in

high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel

power MOSFET in the high side configuration which operates up to 200 volts. Propri-

etary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic con-

struction.

8-Lead SOIC

IR2011S

also available

LEAD-FREE (PbF)

8-Lead PDIP

IR2011

Typical Connection

200V

V_S

HIN

LIN

HIN

LIN

V_B

LOAD

COM

V_CC

(Refer to Lead Assignments for correct configuration). This/These diagram(s) show electrical connections only. Please

refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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与IR2011S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IR2011SPBF	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IR20153S	INFINEON	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE	获取价格
IR20153SPBF	INFINEON	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE	获取价格
IR204	EVERLIGHT	3mm Infrared LED , T-1	获取价格
IR204/H60	EVERLIGHT	Infrared LED, 3mm, 1-Element, 940nm, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
IR204/P1	EVERLIGHT	Infrared LED,	获取价格

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