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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1060 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 56 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 56 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 224 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7624U3 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7625T3 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.074ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7627UC | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7628M1 | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7630M2 | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.56A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7632UC | INFINEON | RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET |
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