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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSIP-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.6 | 最小击穿电压： | 800 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSIP-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 60 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 165 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2KBP08-BP | MCC | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPL, |
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| 2KBP08G | LGE | 2A Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
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| 2KBP08G | FUJI | 2 AMP GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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| 2KBP08G | MIC | SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
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| 2KBP08L3 | VISHAY | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon |
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| 2KBP08L3PBF | VISHAY | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, |
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