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1KAB100EPBF

更新时间: 2024-02-06 06:33:39
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3页 68K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 1000V V(RRM), Silicon, D-38, 3 PIN

1KAB100EPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDIP-W4
针数:3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:1.67
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDIP-W4最大非重复峰值正向电流:52 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最大输出电流:1.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1KAB100EPBF 数据手册

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