5秒后页面跳转
111RK20M PDF预览

111RK20M

更新时间: 2024-01-04 22:31:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,

111RK20M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.83标称电路换相断开时间:80 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:2.5 V
最大维持电流:500 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3最大漏电流:20 mA
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:2200 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:100000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:175 A断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

111RK20M 数据手册

  

与111RK20M相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
111RK40 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele

获取价格

111RK40M INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele

获取价格

111RK60 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 600 V, SCR, TO-209AC

获取价格

111RK60M INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 100000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele

获取价格

111RK80 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 170000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele

获取价格

111RK80M INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 170000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele

获取价格