5秒后页面跳转
100JB12L PDF预览

100JB12L

更新时间: 2024-02-12 14:27:32
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 203K
描述
10 to 35 Amp Rectifier Bridges

100JB12L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:R-PUFM-D4针数:4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:UL APPROVED外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流:155 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

100JB12L 数据手册

 浏览型号100JB12L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号100JB12L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号100JB12L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号100JB12L的Datasheet PDF文件第5页 

与100JB12L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
100JB140L INFINEON Bridge Rectifier Diode, 10A, 14000V V(RRM),

获取价格

100JB14L VISHAY Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 1400V V(RRM), Silicon, POWER MODULE-4

获取价格

100JB160L INFINEON Bridge Rectifier Diode, 10A, 16000V V(RRM),

获取价格

100JB16L VISHAY DIODE 10 A, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, POWER MODULE-4, Bridge Rectifier Diod

获取价格

100JB1L VISHAY DIODE 10 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, POWER MODULE-4, Bridge Rectifier Diode

获取价格

100JB1L NJSEMI Power Modules Single Phase Diode Bridges

获取价格