是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8504.50.80.00 | 风险等级: | 5.83 |
构造: | Epoxy Coated | 型芯材料: | Ferrite |
直流电阻: | 3.5 Ω | 标称电感 (L): | 100 µH |
电感器类型: | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | 引线直径: | 0.508 mm |
引线长度: | 36.515 mm | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装直径: | 3.05 mm |
封装长度: | 6.6 mm | 封装形式: | Axial |
包装方法: | TR | 最小质量因数(标称电感时): | 60 |
最大额定电流: | 0.165 A | 自谐振频率: | 13 MHz |
系列: | IRF | 容差: | 5% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF-11010% | VISHAY |
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General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR | |
IRF1104 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=1 | |
IRF1104L | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF1104LPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF1104PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = | |
IRF1104S | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF1104SPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF1104STRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1104STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1104STRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |