IR2213S

更新时间： 2024-11-26 14:58:39

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英飞凌 - INFINEON		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
14页	265K
描述
EiceDRIVER™ 1200 V 高边和低边栅极驱动器IC：适用于IGBT 单管和 IGBT 模块，可输出2.0 A 典型拉电流和 2.5 A 典型灌电流，采用DSO-16 引脚宽体封装。

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IR2213S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	MS-013AA, SOIC-16	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	长度：	10.3 mm
功能数量：	1	端子数量：	16
标称输出峰值电流：	2.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	12 V
标称供电电压：	15 V	电源电压1-最大：	1220 V
电源电压1-分钟：	7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

IR2213S 数据手册

Preliminary Data Sheet No. PD60030 rev.O

IR2213(S)&(PbF)

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Product Summary

Floating channel designed for bootstrap operation

•

1200V max.

1.7A / 2A

12 - 20V

OFFSET

Fully operational to +1200V

Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

I +/-

Gate drive supply range from 12 to 20V

•

OUT

Undervoltage lockout for both channels

•

3.3V logic compatible

•

(typ.)

280 & 225 ns

30 ns

Separate logic supply range from 3.3V to 20V

Logic and power ground ±±V offset

on/off

Delay Matching

Packages

CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

•

Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic

•

Matched propagation delay for both channels

•

Outputs in phase with inputs

• Also available LEAD-FREE (PbF)

Description

The IR2213(S) is a high voltage, high speed power

MOSFET and IGBT driver with independent high and

low side referenced output channels. Proprietary

HVIC and latch immune CMOS technologies enable

ruggedized monolithic construction. Logic inputs are

compatible with standard CMOS or LSTTL outputs,

down to 3.3V logic. The output drivers feature a high

16-Lead SOIC

(wide body)

14-Lead PDIP

pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched

to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power

MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 1200 volts.

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Typical Connection

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(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/These diagram(s) show electrical

connections only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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