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IR2155PBF PDF预览

IR2155PBF

更新时间： 2024-11-09 19:32:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
7页 93K
描述
Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.5A, CMOS, PDIP8, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8

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IR2155PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：8.01其他特性：FOR NEW DESIGNS, USE IR2153 AND IR21531
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T8长度：9.88 mm
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出峰值电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.33 mm
子类别：MOSFET Drivers标称供电电压：12 V
电源电压1-最大：620 V电源电压1-Nom：12 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

IR2155PBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60029 revJ  
IR2155&(PbF)  
(NOTE: For new designs, we recommend IR’s new products  
IR2153 and IR21531)  
Features SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER  
Product Summary  
Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +600V  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
Undervoltage lockout  
•
V
600V max.  
50%  
OFFSET  
Duty Cycle  
•
•
Programmable oscillator frequency  
I +/-  
O
210 mA / 420 mA  
10 - 20V  
1
f =  
V
OUT  
1.4×(RT +150Ω)× CT  
Matched propagation delay for both channels  
Micropower supply startup current of 125 µA typ.  
Low side output in phase with RT  
• Available in Lead-Free  
Description  
•
•
•
Deadtime (typ.)  
1.2 µs  
Package  
The IR2155 is a high voltage, high speed, self-  
oscillating power MOSFET and IGBT driver with both  
high and low side referenced output channels. Pro-  
prietary HVIC and latch immune CMOS technolo-  
gies enable ruggedized monolithic construction.  
The front end features a programmable oscillator  
which is similar to the 555 timer. The output drivers  
feature a high pulse current buffer stage and an in-  
ternal deadtime designed for minimum driver cross-  
conduction. Propagation delays for the two  
channels are matched to simplify use in 50% duty  
cycle applications. The floating channel can be  
used to drive an N-channel power  
8 Lead PDIP  
MOSFET or IGBT in the high side configuration that  
operates off a high voltage rail up to 600 volts.  
Typical Connection  
up to 600V  
VCC  
RT  
VB  
HO  
VS  
TO  
LOAD  
CT  
COM  
LO  
(Refer to Lead Assignment diagram for correct pin configuration)  
www.irf.com  
1
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