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IR2153Z

更新时间： 2024-09-17 04:23:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
6页 77K
描述
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER

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IR2153Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：MO-036AAReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.52Is Samacsys：N
其他特性：FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDIP-T8
长度：10.31 mm功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C标称输出峰值电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.44 mm标称供电电压：12 V
表面贴装：NO技术：BICMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

IR2153Z 数据手册

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PD-91800  
IR2153Z  
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER  
Features  
· Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +600V  
Product Summary  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
V
600V max.  
50%  
OFFSET  
Duty Cycle  
+/-  
· Undervoltage lockout  
· Programmable oscillator frequency  
I
200 mA / 400 mA  
15.6V  
O
V
clamp  
Deadtime (typ.)  
1
f =  
1.2 µs  
1.4 ×(RT + 75Ω)× CT  
· Matched propagation delay for both channels  
· Micropower supply startup current of 90 µA.  
· Shutdown function turns off both channels  
· Low side output in phase with R  
T
Description  
The IR2153Z is a high voltage, high speed, self-oscillating  
power MOSFET and IGBT driver with both high and low  
side referenced output channels. Proprietary HVIC and  
latch immune CMOS technologies enable ruggedized  
monolithic construction.The front end features a program-  
mable oscillator which is similar to the 555 timer.The  
output drivers feature a high pulse current buffer stage and  
an internal deadtime designed for minimum driver cross-  
conduction. Propagation delays for the two channels are  
matched to simplify use in 50% duty cycle applications.  
The floating channel can be used to drive an N-channel  
power MOSFET or IGBT in the high side configuration  
that operates off a high voltage rail up to 600 volts.  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All  
voltage parameters are absolute voltages referenced to COM. The Thermal Resistance and Power Dissi-  
pation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Symbol  
Parameter  
High Side Floating Supply Voltage  
High Side Floating Supply Offset Voltage  
High Side Floating Output Voltage  
Low Side Output Voltage  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
-0.3  
625  
B
S
V
- 25  
V
V
+ 0.3  
+ 0.3  
+ 0.3  
+ 0.3  
B
S
B
B
V
V
- 0.3  
HO  
V
V
V
V
-0.3  
V
V
V
LO  
RT  
CT  
CC  
CC  
CC  
CC  
R Voltage  
T
-0.3  
-0.3  
—
C Voltage  
T
+ 0.3  
I
Supply Current (Note 1)  
25  
mA  
I
R
Output Current  
T
-5  
5
RT  
dV /dt  
Allowable Offset Supply Voltage Transient  
—
50  
V/ns  
W
s
P
Package Power Dissipation @ T £ +25°C  
—
1.0  
100  
125  
150  
300  
D
A
Rth  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction Temperature  
—
JA  
°C/W  
T
-55  
-55  
—
J
T
Storage Temperature  
°C  
S
T
L
Lead Temperature (Soldering, 10 seconds)  
www.irf.com  
1
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