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IR2125S

更新时间： 2024-11-18 12:02:39
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英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 216K
描述
CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER

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IR2125S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SOIC-16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.21Is Samacsys：N
其他特性：FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT高边驱动器：YES
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G16
长度：10.3 mm功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：3.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大供电电压：18 V
最小供电电压：标称供电电压：15 V
电源电压1-最大：518 V电源电压1-分钟：7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.25 µs
接通时间：0.2 µs宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

IR2125S 数据手册

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Data Sheet No. PD60017 Rev.Q  
( )&(PbF)  
S
IR2125  
CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER  
Features  
Product Summary  
• Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +500V  
V
500V max.  
1A / 2A  
OFFSET  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
I +/-  
O
• Gate drive supply range from 12 to 18V  
• Undervoltage lockout  
V
OUT  
12 - 18V  
• Current detection and limiting loop to limit driven  
power transistor current  
V
CSth  
230 mV  
• Error lead indicates fault conditions and programs  
shutdown time  
t
(typ.)  
150 & 150 ns  
on/off  
• Output in phase with input  
• 2.5V, 5V and 15V input logic compatible  
• Also available LEAD-Free  
Packages  
Description  
The IR2125(S) is a high voltage, high speed power  
MOSFET and IGBT driver with over-current limiting  
protection circuitry. Proprietary HVIC and latch im-  
mune CMOS technologies enable ruggedized mono-  
lithic construction. Logic inputs are compatible with  
standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V  
logic. The output driver features a high pulse current  
16-Lead SOIC  
(Wide Body)  
8-Lead PDIP  
buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the  
driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle by cycle shutdown is programmed by an external  
capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting conditions and  
latched shutdown. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high  
or low side configuration which operates up to 500 volts.  
Typical Connection  
ꢏꢐꢑꢒꢓꢑꢔꢕꢕꢀ  
ꢀ
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ꢇꢈ  
ꢄꢅ  
ꢁꢃ  
(Refer to Lead Assignments  
for correct pin configura-  
tion). This/These diagram(s)  
show electrical connections  
only. Please refer to our  
Application Notes and  
ꢉꢊꢊ  
ꢁꢅꢆ  
ꢋꢅ  
ꢌꢅꢍꢎ  
ꢀ
ꢃ
DesignTips for proper circuit  
board layout.  
www.irf.com  
1
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IR2125S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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