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IQE006NE2LM5CG

更新时间： 2023-09-03 20:27:16

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		PC
页数	文件大小	规格书
13页	1024K
描述
在英飞凌创新的源极底置技术下推出了OptiMOS™ 低压功率MOSFET（IQE006NE2LM5CG）中心门极封装版本。将门极放置在封装的中间位置，从而实现最佳的源极连接。由于中心门极具有更大的漏极至源极爬电距离，因此中心门极封装提供 MOSFET 优化且易于并联的优势。这样，即可在一个 PCB 层上连接多个设备的门极，从而提高电流能力，实现更高的输出电平。此外，源极底置中心门极封装提供高系统效率和高功率密度。

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IQE006NE2LM5CG 数据手册

IQE006NE2LM5CG

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ25ꢀV

PG-TTFN-9-1

Features

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 5-8

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

Gate

Pin 9

V_DS

Source

Pin 1-4

R_DS(on),max

I_D

0.65

298

mΩ

Q_oss

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IQE006NE2LM5CG

PG-TTFN-9-1

006E2C5

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-03-16

12 3 4 5 6 7...13

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