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IPZ40N04S5L-2R8

更新时间： 2024-10-01 20:11:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 321K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8, 8 PIN

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IPZ40N04S5L-2R8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
Samacsys Description：MOSFET N-CHANNEL_30/40V雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.0038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPZ40N04S5L-2R8 数据手册

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IPZ40N04S5L-2R8  
OptiMOS™-5 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
2.8  
40  
V
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
Features  
PG-TSDSON-8-33  
• OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications  
• N-channel - Enhancement mode - Logic Level  
• AEC Q101 qualified  
1
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
1
Type  
Package  
Marking  
IPZ40N04S5L-2R8  
PG-TSDSON-8-33  
5N04L28  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
40  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, V GS=10V  
A
T C=100°C, V GS=10V2)  
40  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25°C  
160  
140  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=20A  
mJ  
A
I AS  
-
40  
V GS  
-
±16  
V
P tot  
T C=25°C  
Power dissipation  
71  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.1  
page 1  
2015-07-27  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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