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IPW65R029CFD7

更新时间： 2024-11-26 11:11:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 电站服务器电信
页数 文件大小 规格书
14页 1411K
描述
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。

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IPW65R029CFD7 数据手册

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IPW65R029CFD7  
MOSFET  
PG-TOꢀ247-3  
650VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice  
Theꢀlatestꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀextendsꢀtheꢀvoltageꢀclassꢀofferingꢀof  
theꢀCFD7ꢀfamilyꢀandꢀisꢀaꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD2.  
Resultingꢀfromꢀimprovedꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀthermal  
behavior,ꢀ650ꢀVꢀCooMOS™ꢀCFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonant  
switchingꢀtopologies,ꢀsuchꢀasꢀLLCꢀandꢀphase-shift-full-bridgeꢀ(ZVS).ꢀAs  
partꢀofꢀInfineon’sꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblends  
allꢀadvantagesꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhard  
commutationꢀrobustness.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeets  
highestꢀefficiencyꢀandꢀreliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhigh  
powerꢀdensityꢀsolutions.  
Tab  
1
2
3
Features  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
Drain  
Pin 2  
•ꢀ650Vꢀbreakꢀdownꢀvoltage  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)  
•ꢀReducedꢀswitchingꢀlosses  
•ꢀLowꢀRDS(on)ꢀdependencyꢀoverꢀtemperature  
*1  
Gate  
Pin 1  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀExtraꢀsafetyꢀmarginꢀforꢀdesignsꢀwithꢀincreasedꢀbusꢀvoltage  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
•ꢀOutstandingꢀlightꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications  
•ꢀImprovedꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications  
•ꢀPriceꢀcompetitivenessꢀoverꢀpreviousꢀCoolMOS™ꢀfamilies  
Potentialꢀapplications  
SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀSolar  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
Unit  
700  
V
29  
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
145  
ID,pulse  
304  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
19.8  
1300  
µJ  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPW65R029CFD7  
PG-TO247-3  
65R029F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-07-31  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPW65R035CFD7A INFINEON

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 		TO-247 引脚封装中的 35mOhm IPW65R035CFD7A是汽车级认证 650
IPW65R037C6 INFINEON

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 		CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进
IPW65R041CFD INFINEON

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 		extremely low losses due to very low fom rdson qg and eoss
IPW65R041CFD7 INFINEON

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 		英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD
IPW65R045C7 INFINEON

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 		英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD
IPW65R065C7 INFINEON

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 		英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范

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