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IPW60R199CP

更新时间： 2024-02-24 18:46:56

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无锡固电 - ISC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	335K
描述
N-Channel MOSFET Transistor

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IPW60R199CP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	8.48	雪崩能效等级（Eas）：	436 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.199 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	139 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	51 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPW60R199CP 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor

IPW60R070CFD7

IIPW60R070CFD7

·FEATURES

·Static drain-source on-resistance:

RDS(on)≤70mΩ

·Enhancement mode:

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·DESCRITION

·Fast switching

·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GS

I_D

PARAMETER

VALUE

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current-Continuous

Drain Current-Single Pulsed

Total Dissipation @T_C=25℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

I_DM

129

P_D

156

℃

150

T_j

-55~150

T_stg

·THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

Rth(j-c)

PARAMETER

MAX

UNIT

Channel-to-case thermal resistance

℃/W

0.8

Channel-to-ambient thermal resistance

Rth(j-a)

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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