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IPTG011N08NM5

更新时间： 2024-10-31 11:14:07

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1344K
描述
OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG011N08NM5 采用改良的翼型引脚 TO-Leaded 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7 引脚相比，TOLG 封装具有出色的电器性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。这款 OptiMOS™ 5 - 80 V 的新型封装具有非常低的 RDS(on) ，而且经过优化，可处理大于 300 A 的高电流。

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IPTG011N08NM5 数据手册

IPTG011N08NM5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV

PG-HSOG-8-1

TAB

Features

TAB

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsync.ꢀrec.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

TAB

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Gate

Pin 1

Parameter

Value

Unit

Source

Pin 2-8

V_DS

R_DS(on),max

I_D

1.1

mΩ

408

207

178

Q_oss

Q_G

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPTG011N08NM5

PG-HSOG-8-1

011N08N5

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2021-02-11

12 3 4 5 6 7...11

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