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IPTC063N15NM5

更新时间： 2024-10-31 11:10:47

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	1760K
描述
IPTC063N15NM5 属于TOLT 封装 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列：采用 TO-Leaded 顶部散热封装，热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征，使英飞凌的 150 V 产品成为同类产品中的佼佼者，而且可以为高功率密度设计提供高额定电流。

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IPTC063N15NM5 数据手册

IPTC063N15NM5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV

PG-HDSOP-16

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 9-16, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

150

6.3

Unit

Gate

Pin 8

V_DS

Source

Pin 1-7

R_DS(on),max

I_D

mΩ

122

139

Q_oss

Q_G

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPTC063N15NM5

PG-HDSOP-16

063N15N5

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2023-03-08

12 3 4 5 6 7...13

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