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IPT60R105CFD7

更新时间： 2024-09-17 14:56:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅高压二极管栅极
页数 文件大小 规格书
14页 1265K
描述
600V CoolMOS? CFD7?是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有集成快速体二极管，完善了CoolMOS? 7系列。 CoolMOS? CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更为出色的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)远低于市场上的竞争性产品，降幅高达 69%。不仅如此，它还具有市场上较短的反向恢复时间(trr)。

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IPT60R105CFD7  
MOSFET  
HSOF  
600VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀisꢀthe  
successorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀCFD2ꢀseriesꢀandꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatform  
tailoredꢀtoꢀtargetꢀsoftꢀswitchingꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀphase-shiftꢀfull-bridge  
(ZVS)ꢀandꢀLLC.ꢀResultingꢀfromꢀreducedꢀgateꢀchargeꢀ(Qg),ꢀbest-in-class  
reverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)ꢀandꢀimprovedꢀturnꢀoffꢀbehaviorꢀCoolMOS™  
CFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonantꢀtopologies.ꢀAsꢀpartꢀofꢀInfineon’s  
fastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblendsꢀallꢀadvantagesꢀof  
aꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhardꢀcommutation  
robustness,ꢀwithoutꢀsacrificingꢀeasyꢀimplementationꢀinꢀtheꢀdesign-in  
process.  
Tab  
Tab  
1
2
3
8
4
7
6
5
6
7
5
4
8
3
2
1
Drain  
Tab  
Features  
*1  
Gate  
Pin 1  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
•ꢀLowꢀgateꢀcharge  
Driver  
Source  
Pin 2  
•ꢀBest-in-classꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀImprovedꢀMOSFETꢀreverseꢀdiodeꢀdv/dtꢀandꢀdiF/dtꢀruggedness  
•ꢀLowestꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)ꢀinꢀSMDꢀandꢀTHDꢀpackages  
Source  
Pin 3-8  
*1: Internal body diode  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀHighestꢀreliabilityꢀforꢀresonantꢀtopologies  
•ꢀHighestꢀefficiencyꢀwithꢀoutstandingꢀease-of-useꢀ/ꢀperformanceꢀtradeoff  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
Potentialꢀapplications  
SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀTheꢀsourceꢀandꢀsenseꢀsourceꢀpinsꢀareꢀnotꢀexchangeable.  
Theirꢀexchangeꢀmightꢀleadꢀtoꢀmalfunction.ꢀForꢀparallelingꢀ4pinꢀMOSFET  
devicesꢀtheꢀplacementꢀofꢀtheꢀgateꢀresistorꢀisꢀgenerallyꢀrecommendedꢀtoꢀbe  
onꢀtheꢀDriverꢀSourceꢀinsteadꢀofꢀtheꢀGate.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
105  
36  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
66  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
4.1  
µJ  
1300  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPT60R105CFD7  
PG-HSOF-8  
60R105F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-11-11  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPT60R125CFD7 INFINEON

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IPT60R125G7XTMA1 INFINEON

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