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IPT60R080G7

更新时间： 2024-10-15 11:14:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲功率因数校正晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1205K
描述
CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐振电路打造了一个可能的 SMD 解决方案。

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IPT60R080G7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75雪崩能效等级（Eas）：97 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A
最大漏极电流 (ID)：29 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：83 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPT60R080G7 数据手册

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IPT60R080G7  
MOSFET  
HSOF  
600VꢀCoolMOSªꢀG7ꢀSJꢀPowerꢀDevice  
TheꢀC7ꢀGOLDꢀseriesꢀ(G7)ꢀforꢀtheꢀfirstꢀtimeꢀbringsꢀtogetherꢀtheꢀbenefitsꢀof  
theꢀC7ꢀGOLDꢀCoolMOS™ꢀtechnology,ꢀ4ꢀpinꢀKelvinꢀSourceꢀcapabilityꢀand  
theꢀimprovedꢀthermalꢀpropertiesꢀofꢀtheꢀTOLLꢀpackageꢀtoꢀenableꢀaꢀpossible  
ꢀSMDꢀsolutionꢀforꢀhighꢀcurrentꢀtopologiesꢀsuchꢀasꢀPFCꢀupꢀtoꢀ3kW  
Tab  
Tab  
1
2
3
8
4
7
6
5
Features  
6
7
5
4
8
3
2
•ꢀC7ꢀGoldꢀgivesꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀRDS(on)*EossꢀandꢀRDS(on)*Qg.  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)  
•ꢀC7ꢀGoldꢀtechnologyꢀenablesꢀbestꢀinꢀclassꢀRDS(on)ꢀinꢀsmallestꢀfootprint.  
•ꢀTOLLꢀpackageꢀhasꢀinbuiltꢀ4thꢀpinꢀKelvinꢀSourceꢀconfigurationꢀandꢀlow  
parasiticꢀsourceꢀinductanceꢀ(~1nH).  
1
•ꢀTOLLꢀpackageꢀisꢀMSL1ꢀcompliant,ꢀtotalꢀPb-freeꢀandꢀhasꢀeasyꢀvisual  
inspectionꢀgroovedꢀleads.  
Drain  
Tab  
•ꢀTOLLꢀSMDꢀpackageꢀcombinedꢀwithꢀleadꢀfreeꢀdieꢀattachꢀprocessꢀenables  
improvedꢀthermalꢀperformanceꢀRth.  
*1  
Gate  
Pin 1  
Driver  
Source  
Pin 2  
Source  
Pin 3-8  
Benefits  
*1: Internal body diode  
•ꢀC7ꢀGoldꢀFOMꢀRDS(on)*Qgꢀꢀisꢀ15%ꢀbetterꢀthanꢀpreviousꢀC7ꢀ600Vꢀenabling  
fasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency.  
•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe  
application  
•ꢀC7ꢀGoldꢀcanꢀreachꢀ28mΩꢀinꢀinꢀTOLLꢀ115mm2ꢀfootprint,ꢀwhereasꢀprevious  
BICꢀC7ꢀ600Vꢀwasꢀ40mΩꢀinꢀ150mm2ꢀD2PAKꢀfootprint.  
•ꢀReducingꢀparasiticꢀsourceꢀinductanceꢀbyꢀKelvinꢀSourceꢀimproves  
efficiencyꢀbyꢀfasterꢀswitchingꢀandꢀeaseꢀofꢀuseꢀdueꢀtoꢀlessꢀringing.  
•ꢀTOLLꢀpackageꢀisꢀeasyꢀtoꢀuseꢀandꢀhasꢀtheꢀhighestꢀqualityꢀstandards.  
•ꢀImprovedꢀthermalsꢀenableꢀSMDꢀTOLLꢀpackageꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀhigher  
currentꢀdesignsꢀthanꢀhasꢀbeenꢀpreviouslyꢀpossible.  
Potentialꢀapplications  
PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance  
SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg.typ  
Value  
650  
80  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
42  
ID,pulse  
83  
ID,continuous @ Tj<150°C 40  
A
Eoss@400V  
5
µJ  
Body diode di/dt  
820  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPT60R080G7  
PG-HSOF-8  
60R080G7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-10-27  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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