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IPT60R037CM8

更新时间： 2024-10-15 17:15:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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14页	1377K
描述
The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.

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IPT60R037CM8

MOSFET

PG-HSOF-8

600VꢀCoolMOSªꢀCM8ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ8thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀCM8ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀ7.

ItꢀcombinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellent

easeꢀofꢀuse,ꢀe.gꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀimplementedꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀ(CFD)

forꢀallꢀproductsꢀwithꢀoutstandingꢀrobustnessꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀand

excellentꢀESDꢀcapability.ꢀFurthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀand

conductionꢀlossesꢀofꢀCM8,ꢀmakeꢀswitchingꢀapplicationsꢀevenꢀmore

efficient.

Tab

Features

Drain

Tab

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀtopologiesꢀthanksꢀtoꢀan

ꢀꢁꢀoutstandingꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀperꢀpackageꢀproductsꢀenabledꢀbyꢀultraꢀlowꢀR_DS(on)*A

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Source

Pin 3-8

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁꢀacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀthanksꢀtoꢀourꢀadvancedꢀdieꢀattach

ꢀꢁꢀtechnique

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁꢀsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀstateꢀofꢀtheꢀart

ꢀꢁꢀESDꢀprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

•ꢀPowerꢀsuppliesꢀandꢀconverters

•ꢀPFCꢀstagesꢀ&ꢀLLCꢀresonantꢀconverters

•ꢀHighꢀefficiencyꢀswitchingꢀapplications

•ꢀe.g.ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀUPS

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

230

10.6

1300

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD class (HBM)

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

60R037C8

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PG-HSOF-8

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2024-03-21

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