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IPT60R028G7XTMA1 PDF预览

IPT60R028G7XTMA1

更新时间： 2024-10-14 20:09:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 600V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOF-8

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IPT60R028G7XTMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：2.29
雪崩能效等级（Eas）：288 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：245 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPT60R028G7XTMA1 数据手册

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IPT60R028G7  
MOSFET  
HSOF  
600VꢀCoolMOSªꢀG7ꢀPowerꢀTransistor  
TheꢀC7ꢀGOLDꢀseriesꢀ(G7)ꢀforꢀtheꢀfirstꢀtimeꢀbringsꢀtogetherꢀtheꢀbenefitsꢀof  
theꢀC7ꢀGOLDꢀCoolMOS™ꢀtechnology,ꢀ4ꢀpinꢀKelvinꢀSourceꢀcapabilityꢀand  
theꢀimprovedꢀthermalꢀpropertiesꢀofꢀtheꢀTOLLꢀpackageꢀtoꢀenableꢀaꢀpossible  
ꢀSMDꢀsolutionꢀforꢀhighꢀcurrentꢀtopologiesꢀsuchꢀasꢀPFCꢀupꢀtoꢀ3kW  
Tab  
1
2
3
Features  
4
5
6
7
8
•ꢀC7ꢀGoldꢀgivesꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀRDS(on)*EossꢀandꢀRDS(on)*Qg.  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)  
•ꢀC7ꢀGoldꢀtechnologyꢀenablesꢀbestꢀinꢀclassꢀRDS(on)ꢀinꢀsmallestꢀfootprint.  
•ꢀTOLLꢀpackageꢀhasꢀinbuiltꢀ4thꢀpinꢀKelvinꢀSourceꢀconfigurationꢀandꢀlow  
parasiticꢀsourceꢀinductanceꢀ(~1nH).  
•ꢀTOLLꢀpackageꢀisꢀMSL1ꢀcompliant,ꢀtotalꢀPb-free,ꢀhasꢀeasyꢀvisual  
inspectionꢀgroovedꢀleadsꢀandꢀisꢀqualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplications  
accordingꢀtoꢀJEDEC(J-STD20ꢀandꢀJESD22).  
Drain  
Tab  
•ꢀTOLLꢀSMDꢀpackageꢀcombinedꢀwithꢀleadꢀfreeꢀdieꢀattachꢀprocessꢀenables  
improvedꢀthermalꢀperformanceꢀRth.  
Gate  
Pin 1  
Driver  
Source  
Pin 2  
Source  
Pin 3-8  
Benefits  
•ꢀC7ꢀGoldꢀFOMꢀRDS(on)*Qgꢀꢀisꢀ15%ꢀbetterꢀthanꢀpreviousꢀC7ꢀ600Vꢀenabling  
fasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency.  
•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe  
application  
•ꢀC7ꢀGoldꢀcanꢀreachꢀ28mΩꢀinꢀinꢀTOLLꢀ115mm2ꢀfootprint,ꢀwhereasꢀprevious  
BICꢀC7ꢀ600Vꢀwasꢀ40mΩꢀinꢀ150mm2ꢀD2PAKꢀfootprint.  
•ꢀReducingꢀparasiticꢀsourceꢀinductanceꢀbyꢀKelvinꢀSourceꢀimproves  
efficiencyꢀbyꢀfasterꢀswitchingꢀandꢀeaseꢀofꢀuseꢀdueꢀtoꢀlessꢀringing.  
•ꢀTOLLꢀpackageꢀisꢀeasyꢀtoꢀuseꢀandꢀhasꢀtheꢀhighestꢀqualityꢀstandards.  
•ꢀImprovedꢀthermalsꢀenableꢀSMDꢀTOLLꢀpackageꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀhigher  
currentꢀdesignsꢀthanꢀhasꢀbeenꢀpreviouslyꢀpossible.  
Applications  
PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance  
SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg.typ  
Value  
650  
28  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
123  
245  
ID,pulse  
ID,continuous @ Tj<150°C 87  
A
Eoss@400V  
14.7  
1000  
µJ  
Body diode di/dt  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPT60R028G7  
PG-HSOF-8  
60R028G7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-12-15  
1234567...14

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