5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPT60R022S7
IPT60R022S7 PDF预览

IPT60R022S7

更新时间： 2024-10-14 19:59:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
14页 1094K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPT60R022S7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.28
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IPT60R022S7 数据手册

 浏览型号IPT60R022S7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPT60R022S7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPT60R022S7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPT60R022S7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPT60R022S7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPT60R022S7的Datasheet PDF文件第7页 
IPT60R022S7  
MOSFET  
HSOF  
600VꢀCoolMOSªꢀSJꢀS7ꢀPowerꢀDevice  
IPT60R022S7ꢀenablesꢀtheꢀbestꢀpriceꢀperformanceꢀforꢀlowꢀfrequency  
switchingꢀapplications.ꢀCoolMOS™ꢀS7ꢀboastsꢀtheꢀlowestꢀRdsonꢀvaluesꢀfor  
aꢀHVꢀSJꢀMOSFET,ꢀwithꢀdistinctiveꢀincreaseꢀofꢀenergyꢀefficiency.  
Tab  
CoolMOS™ꢀS7ꢀisꢀoptimizedꢀforꢀ“staticꢀswitching”ꢀandꢀhighꢀcurrent  
applications.ꢀItꢀisꢀanꢀidealꢀfitꢀforꢀsolidꢀstateꢀrelayꢀandꢀcircuitꢀbreakerꢀdesigns  
asꢀwellꢀasꢀforꢀlineꢀrectificationꢀinꢀSMPSꢀandꢀinverterꢀtopologies.  
1
2
3
4
5
6
7
8
Features  
•ꢀCoolMOS™ꢀS7ꢀtechnologyꢀenablesꢀ22mΩꢀRDS(on)ꢀinꢀtheꢀsmallestꢀfootprint  
•ꢀOptimizedꢀpriceꢀperformanceꢀinꢀlowꢀfrequencyꢀswitchingꢀapplications  
•ꢀHighꢀpulseꢀcurrentꢀcapability  
•ꢀKelvinꢀSourceꢀpinꢀimprovesꢀswitchingꢀperformanceꢀatꢀhighꢀcurrent  
•ꢀTOLLꢀpackageꢀisꢀMSL1ꢀcompliant,ꢀtotalꢀPb-free,ꢀhasꢀeasyꢀvisual  
inspectionꢀleads  
Drain  
Tab  
*1  
Gate  
Pin 1  
Driver  
Source  
Pin 2  
Source  
Pin 3-8  
Benefits  
*1: Internal body diode  
•ꢀMinimizedꢀconductionꢀlossesꢀ(eliminateꢀ/ꢀreduceꢀheatꢀsink)  
•ꢀIncreasedꢀsystemꢀperformance  
•ꢀMoreꢀcompactꢀandꢀeasierꢀdesign  
•ꢀLowerꢀBOMꢀor/andꢀTCOꢀoverꢀprolongedꢀlifeꢀtime  
Comparedꢀtoꢀelectromechanicalꢀdevices:  
•ꢀFasterꢀswitchingꢀtimes  
•ꢀMoreꢀreliabilityꢀandꢀlongerꢀsystemꢀlifeꢀtime  
•ꢀShockꢀ&ꢀVibrationꢀresistance  
•ꢀNoꢀcontactꢀarcing,ꢀbouncingꢀorꢀdegradationꢀoverꢀlifeꢀtime  
Potentialꢀapplications  
•ꢀSolidꢀstateꢀrelaysꢀandꢀcircuitꢀbreakers  
•ꢀLineꢀrectificationꢀinꢀhighꢀpower/performanceꢀapplicationsꢀe.g.ꢀComputing,  
Telecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀparallelingꢀ4pinꢀMOSFETꢀdevicesꢀtheꢀplacementꢀofꢀthe  
gateꢀresistorꢀisꢀgenerallyꢀrecommendedꢀtoꢀbeꢀonꢀtheꢀDriverꢀSourceꢀinstead  
ofꢀtheꢀGate.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
RDS(on),max  
Qg,typ  
Value  
Unit  
mΩ  
nC  
V
22  
150  
0.82  
375  
VSD  
Pulsed ISD, IDS  
A
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPT60R022S7  
PG-HSOF-8  
60R022S7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-05-07  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与IPT60R022S7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPT60R028G7 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V
IPT60R028G7XTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 600V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPT60R035CFD7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有
IPT60R037CM8 INFINEON

获取价格

 		The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam
IPT60R040S7 INFINEON

获取价格

 		英飞凌旗下 600V CoolMOS? S7 superjunction MOSFET (
IPT60R045CFD7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有
IPT60R050G7 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V
IPT60R055CFD7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有
IPT60R065S7 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPT60R075CFD7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? CFD7?是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有

与IPT60R022S7相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证