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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 430 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPS04N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPS04N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPS050N03LG | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters |
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| IPS050N03LGAKMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPS0551SPBF | INFINEON |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 100A, PSSO2, SMD-220 |
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| IPS0551T | INFINEON |
获取价格 |
FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
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| IPS0551T(SMD220) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273VAR |
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| IPS0551T(TO220) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273AA |
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| IPS05N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPS05N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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