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IPS031N03LG PDF预览

IPS031N03LG

更新时间： 2024-09-23 11:08:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 304K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

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IPS031N03LG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A
最大漏极电流 (ID)：90 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：94 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPS031N03LG 数据手册

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IPD031N03L G  
IPS031N03L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
30  
3.1  
90  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21 *  
Type  
IPD031N03L G  
IPS031N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3  
031N03L  
PG-TO251-3-11  
031N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
90  
90  
90  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
GS=4.5 V,  
79  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
90  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=90 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
60  
mJ  
I D=90 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
* IPD031N03L G HF available with SP000680554 only in Malacca, Malaysia  
IPS031N03L G available in HF  
Rev. 2.1  
page 1  
2010-04-07  
1234567...10

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与IPS031N03LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPS031N03LGHF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPS031PBF INFINEON

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 		FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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 		SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
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 		Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applicat
IPS03N03LAG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPS03N03LBG INFINEON

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IPS040N03LG INFINEON

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