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IPN70R2K0P7SATMA1 PDF预览

IPN70R2K0P7SATMA1

更新时间： 2024-10-14 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 1186K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 700V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IPN70R2K0P7SATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：1.61外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：700 V
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPN70R2K0P7SATMA1 数据手册

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IPN70R2K0P7S  
MOSFET  
PG-SOT223  
700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.  
TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost  
sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,  
lighting,ꢀTV,ꢀetc.  
TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction  
MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof  
theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency  
standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing  
towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.  
Drain  
Pin 2, Tab  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior  
•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode  
Gate  
Pin 1  
•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(Eoss  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
)
Source  
Pin 3  
Benefits  
•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology  
•ꢀLowerꢀtemperature  
•ꢀHighꢀESDꢀruggedness  
•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies  
•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors  
Potentialꢀapplications  
RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀforꢀexampleꢀusedꢀinꢀChargers,  
Adapters,ꢀLightingꢀApplications,ꢀetc.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj=25°C  
RDS(on),max  
Value  
700  
2.0  
3.8  
5.7  
0.4  
3
Unit  
V
Ω
Qg,typ  
nC  
A
ID,pulse  
Eoss @ 400V  
V(GS)th,typ  
µJ  
V
ESD class (HBM)  
1C  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPN70R2K0P7S  
PG-SOT223  
70S2K0  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-09-15  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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