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IPN60R3K4CE

更新时间： 2024-11-25 14:52:07
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 1042K
描述
英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS? CE 产品组合，作为 DPAK 的一种高性价比替代产品，在某些设计中还可以减少占据的空间。此封装可以放置在典型的 DPAK 空间，且在热行为上的影响极小。英飞凌的 SOT-223 面向 LED 照明和移动充电器应用。

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IPN60R3K4CE  
MOSFET  
PG-SOT223  
600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa  
price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive  
applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest  
efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand  
offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
Drain  
Pin 2  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
Gate  
Pin 1  
Applications  
Adapter,ꢀChargerꢀandꢀLighting  
Source  
Pin 3  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg,typ  
Value  
650  
3.4  
Unit  
V
Ω
4.6  
nC  
A
ID,pulse  
3.9  
Eoss@400V  
Body diode di/dt  
0.57  
500  
µJ  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPN60R3K4CE  
PG-SOT223  
60S3K4  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-04-29  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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