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IPN60R2K0PFD7S

更新时间： 2024-09-14 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关PC二极管
页数 文件大小 规格书
14页 713K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) 补充了CoolMOS? 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R2K0PFD7S，其 RDS(on)?为 2,000mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS? PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。

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IPN60R2K0PFD7S 数据手册

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IPN60R2K0PFD7S  
MOSFET  
PG-SOT223  
600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.  
TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀPFD7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtarget  
costꢀsensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,  
motorꢀdrive,ꢀlighting,ꢀetc.  
TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction  
MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof  
theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency  
standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing  
towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.  
Drain  
Pin 2  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀEoss,ꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior  
•ꢀFastꢀbodyꢀdiode  
*1  
Gate  
Pin 1  
*2  
•ꢀWideꢀrangeꢀportfolioꢀofꢀRDS(on)ꢀandꢀpackageꢀvariations  
•ꢀIntegratedꢀzenerꢀdiode  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
*2: Integrated ESD diode  
Benefits  
•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors  
•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies  
•ꢀExcellentꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀandꢀoptimizeꢀtheꢀdesign  
•ꢀHighꢀESDꢀruggedness  
Potentialꢀapplications  
RecommendedꢀforꢀZVSꢀtopologiesꢀusedꢀinꢀhighꢀdensityꢀchargers,  
adapters,ꢀlightingꢀandꢀmotorꢀdrivesꢀapplications,ꢀetc.  
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
2000  
3.8  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
4.5  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
ESD Class (HBM)  
0.4  
µJ  
1300  
2
A/µs  
-
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPN60R2K0PFD7S  
PG-SOT223  
60S2K0D7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-09-27  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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