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IPN60R1K5PFD7S

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关 PC 二极管
页数	文件大小	规格书
14页	715K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPN60R1K5PFD7S) 补充了CoolMOS? 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R1K5PFD7S，其 RDS(on)?为 1,000mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS? PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。

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IPN60R1K5PFD7S 数据手册

IPN60R1K5PFD7S

MOSFET

PG-SOT223

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀPFD7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtarget

costꢀsensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

motorꢀdrive,ꢀlighting,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

Drain

Pin 2

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀE_oss,ꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀFastꢀbodyꢀdiode

Gate

Pin 1

•ꢀWideꢀrangeꢀportfolioꢀofꢀR_DS(on)ꢀandꢀpackageꢀvariations

•ꢀIntegratedꢀzenerꢀdiode

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀExcellentꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀandꢀoptimizeꢀtheꢀdesign

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀZVSꢀtopologiesꢀusedꢀinꢀhighꢀdensityꢀchargers,

adapters,ꢀlightingꢀandꢀmotorꢀdrivesꢀapplications,ꢀetc.

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

1500

4.6

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

6.0

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD Class (HBM)

0.5

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPN60R1K5PFD7S

PG-SOT223

60S1K5D7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-09-27

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPN60R2K1CE	INFINEON	获取价格	英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS? CE 产品组合，作为 DPAK
IPN60R360P7S	INFINEON	获取价格	CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑
IPN60R360PFD7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R360PFD7S)
IPN60R3K4CE	INFINEON	获取价格	英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS? CE 产品组合，作为 DPAK
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