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IPN60R1K5CE

更新时间： 2024-09-16 14:56:15

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	1053K
描述
英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS? CE 产品组合，作为 DPAK 的一种高性价比替代产品，在某些设计中还可以减少占据的空间。此封装可以放置在典型的 DPAK 空间，且在热行为上的影响极小。英飞凌的 SOT-223 面向 LED 照明和移动充电器应用。

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IPN60R1K5CE 数据手册

IPN60R1K5CE

MOSFET

PG-SOT223

600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Drain

Pin 2

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Gate

Pin 1

Applications

Adapter,ꢀChargerꢀandꢀLighting

Source

Pin 3

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

650

1.5

Unit

Ω

9.4

I_D,pulse

8.4

E_oss@400V

Body diode di/dt

µJ

500

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPN60R1K5CE

PG-SOT223

60S1K5

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-04-29

12 3 4 5 6 7...13

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