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IPDD60R150G7

更新时间： 2024-11-10 11:11:51

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英飞凌 - INFINEON		开关 PC 服务器电信高压功率因数校正
页数	文件大小	规格书
14页	987K
描述
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。

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IPDD60R150G7 数据手册

IPDD60R150G7

MOSFET

PG-HDSOP-10-1

600VꢀCoolMOS™ꢀG7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

TheꢀC7ꢀGOLDꢀseriesꢀ(G7)ꢀforꢀtheꢀfirstꢀtimeꢀbringsꢀtogetherꢀtheꢀbenefitsꢀof

theꢀC7ꢀGOLDꢀCoolMOS™ꢀtechnology,ꢀ4ꢀpinꢀKelvinꢀSourceꢀcapabilityꢀand

theꢀimprovedꢀthermalꢀpropertiesꢀofꢀtheꢀDDPAKꢀpackageꢀtoꢀenableꢀa

possibleꢀꢀSMDꢀsolutionꢀforꢀhighꢀcurrentꢀtopologiesꢀsuchꢀasꢀPFCꢀupꢀtoꢀ3kW.

tab

Pin 1

Features

•ꢀC7ꢀGoldꢀgivesꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g.

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)

•ꢀC7ꢀGoldꢀtechnologyꢀenablesꢀbestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀinꢀsmallestꢀfootprint.

•ꢀDDPAKꢀpackageꢀhasꢀinbuiltꢀ4^thꢀpinꢀKelvinꢀSourceꢀconfigurationꢀandꢀlow

parasiticꢀsourceꢀinductanceꢀ(~3nH).

•ꢀDDPAKꢀpackageꢀisꢀMSL1ꢀcompliant,ꢀtotalꢀPb-freeꢀandꢀhasꢀeasyꢀvisual

inspectionꢀleads.

Drain

Pin 6-10, Tab

•ꢀDDPAKꢀSMDꢀpackageꢀcombinedꢀwithꢀleadꢀfreeꢀdieꢀattachꢀprocess

enablesꢀimprovedꢀthermalꢀperformanceꢀ(R_th).

Gate

Pin 1

Driver

Source

Pin 2

Power

Source

Pin 3,4,5

Benefits

•ꢀC7ꢀGoldꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀꢀisꢀ15%ꢀbetterꢀthanꢀpreviousꢀC7ꢀ600Vꢀenabling

fasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency.

*1: Internal body diode

•ꢀPossibilityꢀtoꢀincreasseꢀeconomiesꢀofꢀscalesꢀbyꢀusageꢀinꢀPFCꢀandꢀPWM

topologiesꢀinꢀtheꢀapplication.

•ꢀC7ꢀGoldꢀcanꢀreachꢀ50mΩꢀinꢀDDPAKꢀ115mm²ꢀfootprint,ꢀwhereasꢀprevious

BICꢀC7ꢀ600Vꢀwasꢀ40mΩꢀinꢀ150mm²ꢀD²PAKꢀfootprint.

•ꢀReducingꢀparasiticꢀsourceꢀinductanceꢀbyꢀKelvinꢀSourceꢀimproves

efficiencyꢀbyꢀfasterꢀswitchingꢀandꢀeaseꢀofꢀuseꢀdueꢀtoꢀlessꢀringing.

•ꢀDDPAKꢀpackageꢀisꢀeasyꢀtoꢀuseꢀandꢀhasꢀtheꢀhighestꢀqualityꢀstandards.

•ꢀImprovedꢀthermalsꢀenableꢀSMDꢀDDPAKꢀpackageꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀhigher

currentꢀdesignsꢀthanꢀhasꢀbeenꢀpreviouslyꢀpossible.

Potentialꢀapplications

PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance

SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@T_j,max

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

650

150

Unit

mΩ

I_D,pulse

I_D,continuous@ T_j<150°C 23

E_oss@400V

2.74

700

µJ

Body diode di/dt

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPDD60R150G7

PG-HDSOP-10

60R150G7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-10-27

12 3 4 5 6 7...14

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