5秒后页面跳转
IPD135N03LG PDF预览

IPD135N03LG

更新时间: 2024-05-23 22:22:18
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
8页 453K
描述
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):30A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:13.5mΩ@10V;漏源导通电阻:20.5mΩ@4.5V

IPD135N03LG 数据手册

 浏览型号IPD135N03LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD135N03LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD135N03LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD135N03LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD135N03LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD135N03LG的Datasheet PDF文件第7页 
R
IPD135N03  
UMW  
30V N -Channel MOSFET  
7NJ\]ZN[  
l
S !4 EF EI<F6;<A: ( *.!  / 9BD .( +.  
l
S * CF<@ <L87 F86;AB?B: K 9BD   ꢋꢎ  6BAH8DF8DE  
l
l
S   J68??8AF : 4 F8 6;4 D: 8 J R  
CDB7G6F ꢏ!*(   
;J"^]#  
S Very low on-resistance R  
l
;J"^]#  
S
l
Avalanche rated  
Product Summary  
l
S
V
;J=  
,) M  
R
S
l
;J"^]#%\Pf=  
*,'.  
\"  
=
I
,)7  
S
l
;
T
J
=25°C unless otherwise specified  
CaVKXU 4XWMR\RXW[  
" .D6: A: >.@6;4?ꢀ4  
AJZJVN\NZ  
F
EWR\  
FJU]N  
I;  
V>J   1ꢀ T 9   Vꢁ  
 BAF<AGBGE 7D4 <A 6GDD8AF  
,)  
+/  
,)  
7
V
>J   1ꢀ T 9    Vꢁ  
V
>J  ꢈꢆ 1ꢀ T 9   Vꢁ  
V
>J  ꢈꢆ 1ꢀ  
+*  
T 9    Vꢁ  
+G?E87 7D4 <A 6GDD8AF+#  
I ;%_c[aT  
I7J  
T 9   Vꢁ  
+*)  
,)  
,#  
T 9   Vꢁ  
 H4 ?4 A6;8 6GDD8AF E<A: ?8 CG?E8  
 H4 ?4 A6;8 8A8D: Kꢀ E<A: ?8 CG?E8  
E 7J  
I;     R >J   "  
I ;     V;J   1ꢀ  
+)  
\A  
Si (S.      ꢋY Eꢀ  
/
ZM(ua  
- 8H8DE8 7<B78 7/ (S.  
Sv(St  
T
Y%\Pf    Vꢁ  
V >J  
" 4 F8 EBGD68 HB?F4 : 8  
*# % ꢍ./ꢎ   4 A7 %   .ꢎ    
s+)  
M
www.umw-ic.com  
1
UTD Semiconductor Co.,Limited  

与IPD135N03LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD135N03LG_10 INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPD135N03LGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N03LGHF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N03LGXT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N08N3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源
IPD135N08N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPD135N08N3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N08N3GBTMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD13N03LA INFINEON

获取价格

OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD13N03LAG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor