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IPD135N03L G

更新时间： 2024-09-14 11:15:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		通信电池栅数据通信服务器电脑栅极调节器
页数	文件大小	规格书
11页	989K
描述
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6）

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IPD135N03L G 数据手册

IPD135N03LꢀG

MOSFET

OptiMOS^ªꢀ3ꢀPower-Transistor,ꢀ30ꢀV

DPAK

tab

Features

•ꢀFastꢀswitchingꢀMOSFETꢀforꢀSMPS

•ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀDC/DCꢀconverters

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀAvalancheꢀrated

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

Gate

Pin 1

V_DS

Source

Pin 3

R_DS(on),max

I_D

13.5

mΩ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD135N03L G

PG-TO252-3

135N03L

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2020-09-14

12 3 4 5 6 7...11

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IPD135N03L G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD30N03S4L09ATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD135N03LGATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPD135N03L G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD135N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters
IPD135N03LG	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IPD135N03LG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD135N03LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N03LGHF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N03LGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPD135N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD135N08N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N08N3GBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me