Datasheet > IPD130N10NF2S

IPD130N10NF2S

更新时间： 2024-09-14 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	1089K
描述
Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?100 V features low RDS(on)?of 13.0 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency. Compared to the previous technology the IPD130N10NF2S achieves 40 percent lower RDS(on)?and over 50 percent Qg?improvement.

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD130N10NF2S 数据手册

IPD130N10NF2S

MOSFET

StrongIRFET^TMꢀ2ꢀPower-Transistor

DPAK

tab

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀaꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications

•ꢀN-Channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

13.0

Unit

Gate

Pin 1

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Source

Pin 3

Q_oss

Q_G

18.6

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD130N10NF2S

PG-TO252-3

130N10NS

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2022-10-10

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IPD130N10NF2S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD135N03L G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
IPD135N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters
IPD135N03LG	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IPD135N03LG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD135N03LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N03LGHF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N03LGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD135N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPD135N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD135N08N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me