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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD12N03LBG
IPD12N03LBG PDF预览

IPD12N03LBG

更新时间： 2024-02-09 12:56:21
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 417K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPD12N03LBG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：64 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0116 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD12N03LBG 数据手册

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IPD12N03LB G  
IPU12N03LB G  
IPS12N03LB G  
IPF12N03LB G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Package  
V DS  
30  
V
Marking  
R DS(on),max  
I D  
11.6  
30  
mΩ  
A
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
IPD12N03LB G  
IPS12N03LB G  
IPF12N03LB G  
IPU12N03LB G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
12N03LB  
PG-TO251-3-11  
12N03LB  
PG-TO252-3-23  
12N03LB  
PG-TO251-3-1  
12N03LB  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
30  
30  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
120  
64  
E AS  
I D=30 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=30 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
52  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.5  
page 1  
2006-05-15  
1234567...12

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IPD12N03LBG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB13N03LB INFINEON

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