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IPC302N20NFD

更新时间： 2024-11-09 14:55:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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3页	911K
描述
英飞凌凭借? OptiMOS? 200V 和 250V 产品，不断提供具有独特性能的同类中较为出色的导通电阻 (R?DS(on)) 功率 MOSFET。领先的导通电阻 RDs(on) 和品质因数 (FOM) 特征可降低功耗，提高整体效率并提高功率密度。

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IPC302N20NFD 数据手册

IPC302N20NFD

OptiMOS™3 Power MOS Transistor Chip

IPC302N20NFD

Type

V_(BR)DSS

R_DS(on)

Die size

Si-thickness

IPC302N20NFD

200 V

12 mΩ¹⁾

6.7 x 4.5mm²

250 µm

Description

•

N-channel enhancement mode

For dynamic characterization refer to the datasheet of IPP120N20NFD

AQL 0.65 for visual inspection according to failure catalogue

Electrostatic Discharge Sensitive Device according to MIL-STD 883C

Die bond: soldered or glued

Backside metallization: NiV system

Frontside metallization: AlSiCu system

Passivation: nitride and polymide (only on edge structure)

Electrical Characteristics on Wafer Level

at T_j= 25 °C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol Value

min. typ.

Unit Conditions

max.

Drain-source breakdown voltage V_(BR)DSS

200

V_GS= 0V

I_D= 1 mA

Gate threshold voltage

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS

I_D= 270 µA

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-resistance

0.1

V_GS= 0V

V_DS= 160 V

µA

I_GSS

100 nA V_GS= 20 V

V_DS= 0 V

R_DS(on)

9.4²⁾100 ³⁾

V_GS= 10 V

I_D= 2.0 A

mΩ

Reverse diode forward on-voltage V_SD

Avalanche energy, single pulse E_AS

0.65

45 ⁴⁾

1.2

V_GS=0 V

I_F= 1 A

mJ I_D= 30 A, R_GS=25Ω

¹⁾packaged in a PG-TO220-3 (see ref. product)

²⁾typical bare die R_DS(on); V_GS=10V

³⁾limited by wafer test-equipment

⁴⁾Wafer tested. For general avalanche capability refer to the datasheet of IPP120N20NFD

Datasheet

Rev. 2.0

www.infineon.com

2016-04-05

12 3

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