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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPC302N12N3 | INFINEON |
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英飞凌的 OptiMOS ?100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (o |
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| IPC302N15N3 | INFINEON |
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英飞凌的 OptiMOS ™100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (o |
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| IPC302N20N3 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPC302N20N3_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPC302N20NFD | INFINEON |
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英飞凌凭借? OptiMOS? 200V 和 250V 产品，不断提供具有独特性能的同类中 |
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| IPC302N25N3 | INFINEON |
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英飞凌凭借? OptiMOS? 200V 和 250V 产品，不断提供具有独特性能的同类中 |
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| IPC302NE7N3 | INFINEON |
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英飞凌 OptiMOS? 75V 功率 MOSFET 系列产品针对台式机和服务器等 AC- |
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| IPC313N10N3R | INFINEON |
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英飞凌的 OptiMOS ™100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (o |
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| IPC331N15NM5R | INFINEON |
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英飞凌的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 RDS(o |
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| IPC35HC/2-STF-15,00 | PHOENIX |
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Barrier Strip Terminal Block |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
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