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IPC218N04N3

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		通信开关电机服务器转换器
页数	文件大小	规格书
3页	350K
描述
新型 OptiMOS? 40V 和 60V 是英飞凌新一代的功率 MOSFET，它针对服务器和台式机等中的开关电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。此外，这些器件是电机控制，通信、太阳能微逆变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。

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IPC218N04N3

MOSFET

PowerꢀMOSꢀTransistorꢀChip

OptiMOSª3ꢀPowerꢀMOSꢀTransistorꢀChip

•ꢀN-channelꢀenhancementꢀmode

•ꢀForꢀdynamicꢀcharacterizationꢀreferꢀtoꢀtheꢀdatasheetꢀofꢀIPB011N04NꢀG

•ꢀAQLꢀ0.65ꢀforꢀvisualꢀinspectionꢀaccordingꢀtoꢀfailureꢀcatalogue

•ꢀElectrostaticꢀDischargeꢀSensitiveꢀDeviceꢀaccordingꢀtoꢀMIL-STDꢀ883C

•ꢀDieꢀbond:ꢀsolderedꢀorꢀglued

•ꢀBacksideꢀmetallization:ꢀNiVꢀsystem

•ꢀFrontsideꢀmetallization:ꢀAlCuꢀsystem

•ꢀPassivation:ꢀNitrideꢀ+ꢀImide

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

Drain

V_(BR)DSS

R_DS(on)

1.1¹⁾

mΩ

mm²

µm

Gate

Die size

Thickness

5.9 x 3.7

175

Source

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Chip

Marking

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IPC218N04N3

not defined

1ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀCharacteristicsꢀonꢀWaferꢀLevel

atꢀT_jꢀ=ꢀ25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀ

Values

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Typ.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

I_DSS

V_GS=0ꢀVꢀ,I_D=1ꢀmA

V_DS=V_GS,ꢀI_D=200ꢀµA

V_GS=0ꢀVꢀ,V_DS=40ꢀV

V_GS=20ꢀVꢀ,V_DS=0ꢀV

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on- resistance

Reverse diode forward on-voltage

Internal gate resistance

0.1

µA

I_GSS

200

50³⁾

1.1

R_DS(on)

V_SD

0.9²⁾

0.86

1.5

mΩ V_GS=10ꢀVꢀ,I_D=2.0ꢀA

V_GS=0ꢀVꢀ,I_F=1A

R_G

Ω

Avalanche energy, single pulse

E_AS

525⁴⁾mJ

I_D=50 A, R_GS=25 Ω

¹⁾packaged in a PG-TO263-7 (see ref. product)

²⁾ꢀtypicalꢀbareꢀdieꢀR_DS(on);ꢀV_GS=10ꢀVꢀwhenꢀusedꢀwithꢀ4*500µmꢀAl-wedgeꢀdouble-stitchꢀbonding

³⁾limited by wafer test-equipment

⁴⁾Wafer tested. For general avalanche capability refer to the datasheet of IPB011N04N G

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.6,ꢀꢀ2017-07-17

12 3

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